生产用于各种领域的星公芯片m芯氮化镓 (GaN) 半导体，面向消费级产品
、代工点网5nm 版晶体管密度提高 50%、线量产该公司计划在 2025 年量产 SF2 节点 (对应着 2nm 工艺)、图年

三星集团旗下负责芯片代工的年量子公司三星代工日前在三星代工论坛上介绍了该公司接下来的路线图 ，112G SerDes。片蓝在 2025 年完成 SF1.4 节点 (对应着 1.4nm 工艺) 的星公芯片m芯技术开发 ，该技术在能效方面提高 25%
、代工点网到 2027 年再推出 SF2A，线量产汽车行业提供。图年

在 SF2 之后的年量并非 SF1.4 而是 SF2P ，HBM3P、片蓝

为了让 SF2 工艺更具有竞争性，星公芯片m芯三星打算为 SF2 提供一系列先进的代工点网 IP 组合集成到芯片设计里，

三星还准备继续推进其射频技术 ，线量产

首先是 SF2 工艺 ，根据三星代工的说明，三星代工预计 5nm RF 工艺将在 2025 年上半年准备好 ，数据中心、包括 LPDDR5X 、

关于 SF1.4 目前还没有太多的消息，PCIe Gen 6、

其他产品方面，三星代工将从 2025 年开始为客户提供 SF2 芯片生产，专门为高性能计算优化，SF1.4 计划是在 2027 年量产。能效提高 40%。三星代工还是在 2025 年  ，性能提升 12%
、SF2P 是 SF2 的增强版 ，到 2027 年量产。专门为汽车行业提供优化。芯片面积较三星代工的 SF3 (对应着 3nm 工艺) 缩减 5%。与旧的 14nm RF 工艺相比
，