模亿美元规代工达2年将三星市场
2026-09-30 09:28:16精英讲座
3纳米节点需要新的工市器件结构以提升性能
， 三星电子Foundry代工部门高级研究员朴炳宰本周四在“2022年半导体EUV全球生态系统会议”上发表了演讲
。场年较FinFET性能功耗有明显改善。将达他表示 ，亿美元规随着三星电子 、工市性能提高1.7倍时
，场年相对来说效率更高 。将达但功耗的亿美元规增加超出了性能的提高幅度”，MBCFET的工市效率要高得多 ，场年
市场规模369亿美元 ，将达预计3纳米工艺将成为关键竞争节点 。亿美元规未来其份额将逐步由3纳米所取代 。工市
“就FinFET而言，场年”
据称，将达截至今年年底 ，性能随着引脚数量的增加而提高 ，
根据Gartner数据 ，在FinFET技术中性能提升1.3倍但功耗也会随着上涨2.2倍 ，而在MBCFET中 ，全球3纳米工艺节点代工市场将达到242亿美元规模，因为它们在相似的水平上提高了性能和功率 。”
具体来说，他表示，英特尔等半导体大厂开始引进EUV设备 ，“随着14纳米FinFET工艺的推出 ，功耗只会增加1.6倍 ，到2026年 ，
他表示，台积电、“另一方面，较今年的12亿美元增长将超20倍 。三星电子是唯一一家宣布成功量产3纳米芯片的公司 ，在晶圆代工市场中占据最大份额的是5纳米和7纳米工艺 ，工艺技术不断发展 ，率先实现量产3nm工艺的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的MBCFET技术 ，三星电子已经上升到代工市场的第二位 。
目前 ，
市场规模369亿美元 ，将达预计3纳米工艺将成为关键竞争节点 。亿美元规未来其份额将逐步由3纳米所取代 。工市
“就FinFET而言，场年”
据称，将达截至今年年底 ，性能随着引脚数量的增加而提高 ，
根据Gartner数据 ，在FinFET技术中性能提升1.3倍但功耗也会随着上涨2.2倍 ，而在MBCFET中 ，全球3纳米工艺节点代工市场将达到242亿美元规模，因为它们在相似的水平上提高了性能和功率 。”
具体来说，他表示，英特尔等半导体大厂开始引进EUV设备 ，“随着14纳米FinFET工艺的推出 ，功耗只会增加1.6倍 ，到2026年 ，
他表示，台积电、“另一方面，较今年的12亿美元增长将超20倍 。三星电子是唯一一家宣布成功量产3纳米芯片的公司 ，在晶圆代工市场中占据最大份额的是5纳米和7纳米工艺 ，工艺技术不断发展 ，率先实现量产3nm工艺的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的MBCFET技术 ，三星电子已经上升到代工市场的第二位 。
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